Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
- Autores:
- Autores USP: LI, MAXIMO SIU - IFQSC ; HIPOLITO, OSCAR - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- Assunto: FÍSICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. -
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
- Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
- Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
- MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
- Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'
- Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
- Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
- Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
- Mbe growth and characterization of periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'
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