Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation (2011)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; SILVA, ANTONIO JOSE DA - IEB
- Unidades: IF; IEB
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
-
ABNT
PADILHA, J E et al. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf. Acesso em: 20 abr. 2024. , 2011 -
APA
Padilha, J. E., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf -
NLM
Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf -
Vancouver
Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2024 abr. 20 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf - Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations
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