Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance (2011)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.009
- Assunto: BAIXA TEMPERATURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid-state electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 59, n. 1, p. 13-17, 2011
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance. Solid-state electronics, v. 59, n. 1, p. 13-17, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.009. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Agopian, P. G. D., Pacheco, V. H., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2011). Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance. Solid-state electronics, 59( 1), 13-17. doi:10.1016/j.sse.2011.01.009 -
NLM
Agopian PGD, Pacheco VH, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance [Internet]. Solid-state electronics. 2011 ; 59( 1): 13-17.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.009 -
Vancouver
Agopian PGD, Pacheco VH, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of SEG on uniaxially strained MuGFET performance [Internet]. Solid-state electronics. 2011 ; 59( 1): 13-17.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.009 - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
- Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures
- A novel simple method to extract the effective LDD doping concentration on fully depleted SOI NMOSFET
- The graded-channel SOI NMOSFET and its potential to analog applications
- CPU didática. (também em CD-Rom)
- Optimization of the twin gate SOI MOSFET
- Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
- Improved channel lenght and series resistance extraction for short-channel MOSFETs suffering from mobility degradation
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2011.01.009 (Fonte: oaDOI API)
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