Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC (2010)
- Autores:
- Autores USP: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.82.153402
- Assuntos: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS; NANOTECNOLOGIA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1098-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 82, n. 15, p. 1534023/1-153402/4, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
LIMA, Matheus P et al. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, v. 82, n. 15, p. 1534023/1-153402/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402. Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Lima, M. P., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2010). Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, 82( 15), 1534023/1-153402/4. doi:10.1103/physrevb.82.153402 -
NLM
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402 -
Vancouver
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402 - Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface
- First principles study of the ferromagnetism in "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" As semiconductors
- Adsorption of "C IND.59" Si on Si(100) monohydride surface
- Influence of two vacancies in bubdles and isolated carbon naotubes
- {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires
- Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'
- Effect of impurities on the breaking of Au nanowires
- Adsorption and incorporation of Mn on Si(100)
- Microscopic picture of the single vacancy in germanium
- Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom
Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.82.153402 (Fonte: oaDOI API)
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