Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor (2009)
- Autores:
- Autor USP: OLIVEIRA, LUIZ NUNES DE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1103/PhysRevB.80.235317
- Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; MAGNETISMO; SPIN; TRANSISTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: College Park
- Data de publicação: 2009
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1098-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 80, n. 23, p. 235317-1-235317-22, Dec. 2009
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
YOSHIDA, M. e SERIDONIO, A. C. e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor. Physical Review B, v. 80, n. 23, p. 235317-1-235317-22, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Yoshida, M., Seridonio, A. C., & Oliveira, L. N. de. (2009). Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor. Physical Review B, 80( 23), 235317-1-235317-22. doi:10.1103/PhysRevB.80.235317 -
NLM
Yoshida M, Seridonio AC, Oliveira LN de. Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 23): 235317-1-235317-22.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317 -
Vancouver
Yoshida M, Seridonio AC, Oliveira LN de. Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 23): 235317-1-235317-22.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317 - Cálculo da susceptibilidade magnética do modelo de Anderson de duas impurezas
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Informações sobre o DOI: 10.1103/PhysRevB.80.235317 (Fonte: oaDOI API)
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