Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS (2007)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: CIRCUITOS ELETRÔNICOS; SENSORES ÓPTICOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Universidade de São Paulo
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 2007
- Fonte:
- Título do periódico: 15 SIICUSP: anais
- Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
-
ABNT
PACHECO, Vinícius Heltai e SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos e MARTINO, João Antonio. Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS. 2007, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Pacheco, V. H., Santos, C. D. G. dos, & Martino, J. A. (2007). Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS. In 15 SIICUSP: anais. São Paulo: Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf -
NLM
Pacheco VH, Santos CDG dos, Martino JA. Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS [Internet]. 15 SIICUSP: anais. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf -
Vancouver
Pacheco VH, Santos CDG dos, Martino JA. Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS [Internet]. 15 SIICUSP: anais. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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