Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto (1991)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microeletrônica
- Publisher place: Belo Horizonte
- Date published: 1991
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica
-
ABNT
MAFRA JUNIOR, Johnny Jose e MARTINO, João Antonio. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. 1991, Anais.. Belo Horizonte: Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Mafra Junior, J. J., & Martino, J. A. (1991). Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. In Anais. Belo Horizonte: Sociedade Brasileira de Microeletrônica. -
NLM
Mafra Junior JJ, Martino JA. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. Anais. 1991 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Mafra Junior JJ, Martino JA. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. Anais. 1991 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
- A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
