Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors (2006)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.74.205321
- Subjects: SEMICONDUTORES; POÇOS QUÂNTICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- ISSN: 1098-0121
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 74, n. 20, p.205321/1-205321/8, 2006
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LIM, H et al. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors. Physical Review B, v. 74, n. 20, p. 205321/1-205321/8, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Lim, H., Movaghar, B., Tsao , S., Taguchi, M., Zhang, W., Quivy, A. A., & Razeghi, M. (2006). Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors. Physical Review B, 74( 20), 205321/1-205321/8. doi:10.1103/physrevb.74.205321 -
NLM
Lim H, Movaghar B, Tsao S, Taguchi M, Zhang W, Quivy AA, Razeghi M. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 74( 20): 205321/1-205321/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321 -
Vancouver
Lim H, Movaghar B, Tsao S, Taguchi M, Zhang W, Quivy AA, Razeghi M. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 74( 20): 205321/1-205321/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321 - Microscopio de tunelamento a ser usado no ar, no vacuo e no helio liquido
- Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE
- Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos
- Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3
- Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares
- Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots
- Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer
- Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces
- High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction
- Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells
Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.74.205321 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | PhysRevB.74.205321.pdf |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
