Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study (2006)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0957-4484/17/16/016
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; NANOTECNOLOGIA; PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Nanotechnology
- ISSN: 0957-4484
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 17, n. 16, p. 4088-4091, 2006
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA, L B da et al. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, v. 17, n. 16, p. 4088-4091, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Silva, L. B. da, Fagan, S. B., Mota, R., & Fazzio, A. (2006). Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, 17( 16), 4088-4091. doi:10.1088/0957-4484/17/16/016 -
NLM
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016 -
Vancouver
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0957-4484/17/16/016 (Fonte: oaDOI API)
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