Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction (1999)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0038-1101(99)00191-4
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
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ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction. Solid-State Electronics, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00191-4. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1999). Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction. Solid-State Electronics. doi:10.1016/s0038-1101(99)00191-4 -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction [Internet]. Solid-State Electronics. 1999 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00191-4 -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction [Internet]. Solid-State Electronics. 1999 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00191-4 - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1101(99)00191-4 (Fonte: oaDOI API)
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