Design of AlInGaN/InGaN superlattices for white-light device applications (2005)
- Autores:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: SEMICONDUTORES; ÓPTICA ELETRÔNICA; DIODOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE
- Local: São José dos Campos
- Data de publicação: 2005
- Fonte:
- Título do periódico: Program and Abstracts
- Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP
-
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Design of AlInGaN/InGaN superlattices for white-light device applications. 2005, Anais.. São José dos Campos: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE, 2005. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. da. (2005). Design of AlInGaN/InGaN superlattices for white-light device applications. In Program and Abstracts. São José dos Campos: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE. -
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF da. Design of AlInGaN/InGaN superlattices for white-light device applications. Program and Abstracts. 2005 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF da. Design of AlInGaN/InGaN superlattices for white-light device applications. Program and Abstracts. 2005 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
- Simulaçãodepropriedades eletrônicas de HEMTs
- Programação paralela de alto desempenho em placas de vídeo
- Investigation of the spin charge polarization in diluted magnetic semiconductors (DMS) based on II-VI group
- Desenvolvimento de Interface WEB para visualização de resultados científicos
- Estudo de ligas quartenárias de nitretos para aplicações em dispositivos de luz branca
- Estudo dos efeitos de confinamento adicional ao potencial total em semicondutores ferromagnéticos diluídos baseados em GeMn
- Cálculo de espectros de luminescência de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade
- Optical properties calculations in nitrides heterostructures
- Exchange-correlation parametrizations effects in DMS: (Zn, Co)O and (Ga,Mn)As
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas