3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
- Autores:
- Autores USP: MACHADO, WANDA VALLE MARCONDES - IF ; JUSTO FILHO, JOAO FRANCISCO - EP ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidades: IF; EP
- DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA; PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: Zurich-Uetikon
- Data de publicação: 2005
- Fonte:
- Título do periódico: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum
- ISSN: 0255-5476
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 483, p. 531-534, 2005
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531 -
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531 -
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531 - Nickel impurities in diamond: a FP-LAPW investigation
- Erratum: "Isolated nickel impurities in diamond: A microscopic modelfor the electrically active centers" [Appl. Phys. Lett. 84, 720 (2004)]
- A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties
- Electronic properties and chemical trends of 3d transition metal impurities in diamond
- Vibrational spectra of amino-adamantane isomers: a first-principles investigation
- Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN
- 3d transition metal impurities in diamond: electronic properties and chemical trends
- Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation
- Defects in mercuric iodide: an APW investigation
- Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide
Informações sobre o DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531 (Fonte: oaDOI API)
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
