Tese

Preparação e caracterização de filmes finos semicondutores de selênio dopados com chumbo (2005)

• Authors:
  • Cabral, Murilo Feitosa
  • Machado, Sergio Antonio Spinola (Orientador)
• Autor USP: CABRAL, MURILO FEITOSA - IQSC
• Unidade: IQSC
• Subjects: FÍSICO-QUÍMICA; SEMICONDUTORES; FILMES FINOS
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho foram estudada a deposição em regime de sub-tensão (DRS) em meio ácido e a caracterização morfológica e topológica de filmes de selênio dopados com chumbo. As técnicas empregadas foram: Voltametria Cíclica, Cronoamperometria, Espectroscopia de Impedância Eletroquímica, UV-Vísivel, Miscroscopia Eletrônica de Varredura, Energia Dispersiva de Raios-X e Microscopia de Força Atômica.Durante a formação inicial dos depósitos de Se, verificou-se a deposição de um filme com cerca de 145 nm de espessura, o que corresponde aproximadamente a 708 monocamadas de Se (considerando um empacotamento cerrado). Estes resultados foram obtidos levando-se em consideração que, nos estágios iniciais de deposição do Se sobre o eletrodo de Au, ocorre a deposição de um ad-átomo de Se sobre dois sítios ativos de Au com transferência de 4 elétrons.Estudos da DRS de Pb sobre Se mostram que ocorre a transferência de 2 elétrons e a ocupação de 2 sítios ativos de Se por ad-átomo de Pb. Numa deposição potenciostática de Pb no potencial de DRS obteve-se uma dopagem com cerca de 106 monocamadas, que corresponde a 15% do total de átomos de Pb sobre Se (at./at.).O filme de selênio apresentou um band-gap de 2,40 eV, um potencial de banda plana de 0,95 V e uma resistência média de transferência de carga para o par redox ('Fe POT. 2+'/'Fe POT. 3+'), na faixa de 320 O cm-2. Com o processo de dopagem com chumbo, o filme de PbSe apresentou um band-gap de 2,30 eV, potencial de banda planada ordem de - 0,51 V e uma resistência média de transferência de carga na ordem de 65 W cm-2. (continuação) A metodologia de deposição eletroquímica de Se e Pb, utilizada neste trabalho, mostrou-se bastante adequada para produzir filmes finos com propriedades semicondutoras e baixa resistência ôhmica, sugerindo assim boas possibilidades de aplicações tecnológicas.
• Imprenta:
  • Publisher place: São Carlos
  • Date published: 2005
• Data da defesa: 21.07.2005

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How to cite

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• ABNT

  CABRAL, Murilo Feitosa. Preparação e caracterização de filmes finos semicondutores de selênio dopados com chumbo. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2005. . Acesso em: 24 abr. 2024.

• APA

  Cabral, M. F. (2005). Preparação e caracterização de filmes finos semicondutores de selênio dopados com chumbo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos.

• NLM

  Cabral MF. Preparação e caracterização de filmes finos semicondutores de selênio dopados com chumbo. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ]

• Vancouver

  Cabral MF. Preparação e caracterização de filmes finos semicondutores de selênio dopados com chumbo. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ]

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