One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor (2004)
- Autores:
- Autor USP: PEREYRA, INÊS - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: MICROELETRÔNICA; CAPACITORES; FILMES FINOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: The Electrochemical Society
- Local: Pennington
- Data de publicação: 2004
- ISBN: 1-56677-416-0
- Fonte:
- Título do periódico: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03
- Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
-
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2004). One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Albertin KF, Pereyra I. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
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