Effect of an electrical field applied during czochraslki crystal growth of silicon-germanium alloys - preliminary results (2004)
- Autores:
- Autor USP: ANDREETA, JOSE PEDRO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS; ESPECTROSCOPIA DE ABSORÇÃO ATÔMICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBPMat
- Local: São Carlos
- Data de publicação: 2004
- Fonte:
- Título do periódico: Programa e Livro de Resumos
- Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat
-
ABNT
OCTAVIANO, E. S. et al. Effect of an electrical field applied during czochraslki crystal growth of silicon-germanium alloys - preliminary results. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Octaviano, E. S., Levada, C. L., Andreeta, J. P., & Alves, L. M. (2004). Effect of an electrical field applied during czochraslki crystal growth of silicon-germanium alloys - preliminary results. In Programa e Livro de Resumos. São Carlos: SBPMat. -
NLM
Octaviano ES, Levada CL, Andreeta JP, Alves LM. Effect of an electrical field applied during czochraslki crystal growth of silicon-germanium alloys - preliminary results. Programa e Livro de Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Octaviano ES, Levada CL, Andreeta JP, Alves LM. Effect of an electrical field applied during czochraslki crystal growth of silicon-germanium alloys - preliminary results. Programa e Livro de Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Crescimento de monocristais de 'BA''TI''O IND.3' pelo metodo de tssg
- Estruturas de dominios em monocristais de 'LI''NB''O IND.3'
- Crescimento de monocristais de 'NA'i ('TL') pelas tecnicas de czochralski e bridgman
- Laser probe para dispositivos saw
- Processos de relaxacao dieletrica e correntes piroeletricas em 'LI''NB''O IND.3': 'FE'
- Processos de relaxacao de baixa frequencia em 'LI''NB''O IND.3': 'FE'
- Construcao de guias de ondas acusticas superficiais pelo metodo do proton exchange
- Interferômetro em tempo real auto-estabilizado
- Novo sistema para crescimento de cristais por solucao com controle da taxa de evaporacao
- Dopagens em fibras monocristalinas atraves da tecnica paint-on
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
