Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS (2004)
- Authors:
- Autor USP: TRIANA, RODRIGO ALBERTO LLORENTE - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: AMPLIFICADOR CLASSE B; MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho é apresentado um método de projeto para um amplificador integrado classe B em tecnologia CMOS. São analisadas as diferentes classes de amplificadores de potência para determinar a melhor opção quando se planeja a utilização de um esquema de modulação que modifique a amplitude do sinal portador. O método de projeto descreve a forma de calcular a carga ótima. A carga ótima é a que maximiza a eficiência de potência adicionada. É mostrada a análise de duas das mais conhecidas redes de acoplamento de impedância: a rede L e a rede p. O amplificador é composto por dois estágios: o estágio de entrada e o estágio de saída. O estágio de entrada é adaptado para conseguir controlar a potência de saída. O estágio de saída entrega a potência para a carga. O amplificador é projetado para o processo CMOS 0,35 µm da Austria Micro Systems, com uma fonte de alimentação de 3,3 V. O projeto é feito visando a banda ISM de 2,45 GHz. As simulações mostram que o amplificador entrega uma potência máxima de saída de 139 mW com uma eficiência de potência adicionada de 40 % aproximadamente
- Imprenta:
- Data da defesa: 13.09.2004
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ABNT
TRIANA, Rodrigo Alberto Llorente. Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Triana, R. A. L. (2004). Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Triana RAL. Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 set. 18 ] -
Vancouver
Triana RAL. Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS. 2004 ;[citado 2024 set. 18 ]
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