Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro (2004)
- Authors:
- Autor USP: FARIAS, REGINALDO DE JESUS COSTA - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FAP
- Subjects: FILMES FINOS; NANOTECNOLOGIA; MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
- Language: Português
- Abstract: Depositamos filmes finos de platina e ouro utilizando a técnica de MePIIID. A espessura d desse filmes encontra-se no intervalo 1,31nm '< OU =' d '< OU =' 11,66nm e 1,77nm '< OU =' d '< OU ='10,46nm para a platina e para o ouro, respectivamente. Medimos, em função da espessura d, a resitividade elétrica p(d) in situ à temperatura ambiente, a rugosidade 'delta'(d) e as distâncias de correlação lateral 'dzeta'(d) foram realizados utilizando-se a técnica de microscopia de tunelamento. Nosso resultados experimentais foram comparados com as previsões teóricas obtidas por Fishman e Calecki. Verificamos que essa abordagem não explica satisfatoriamente nossos resultados experimentais. Nosso trabalho mostra que é necessário propor um novo modelo quântico para estimar a resistividade elétrica de filmes finos de platina e ouro
- Imprenta:
- Data da defesa: 11.08.2004
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ABNT
FARIAS, Reginaldo de Jesus Costa. Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Farias, R. de J. C. (2004). Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Farias R de JC. Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Farias R de JC. Resistividade elétrica de filmes finos nanoestruturados de platina e ouro. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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