A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys (2004)
- Autores:
- Autores USP: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Antonelli, A. (2004). A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf -
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf -
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Antonelli A. A possible route to grow substitutional TM in 'Si IND. (1-x)''Ge IND. x' alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1470-1.pdf - Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface
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