Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2003)
- Autores:
- Autor USP: MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: PLASMA (MICROELETRÔNICA); SILÍCIO
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- ISSN: 1517-3542
-
ABNT
TORRES, Ani Sobral e MANSANO, Ronaldo Domingues. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 abr. 2024. , 2003 -
APA
Torres, A. S., & Mansano, R. D. (2003). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). São Paulo: EPUSP. -
NLM
Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Torres AS, Mansano RD. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasmas acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Deposition and characterization of indium-tin oxide thin films deposited by RF sputtering
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