Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions (2003)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATERIAIS; MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBPMat
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 2003
- Source:
- Título do periódico: Programa e Livro de Resumos
- Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais
-
ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Ribeiro, M., Leite, J. R., Tabata, A., & Freitas Junior, J. A. (2003). Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat. -
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Ribeiro M, Leite JR, Tabata A, Freitas Junior JA. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Ribeiro M, Leite JR, Tabata A, Freitas Junior JA. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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