Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) (2003)
- Authors:
- Autor USP: CHAVEZ, JUAN YURY ZEVALLOS - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FEP
- Subjects: DETECÇÃO DE PARTÍCULAS; SEMICONDUTORES; MÉTODO DE MONTE CARLO
- Language: Português
- Abstract: A Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 'cm POT. 3'. 50 'cm POT. 3', 8 'cm POT. 3' e 5 'cm POT. 3', e um detector de Si(Li) de 0,143 'cm POT. 3' de volume ativo. O intervalo de energia estudado foi de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extrapolação da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia fora, estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças docristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador
- Imprenta:
- Data da defesa: 14.08.2003
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ABNT
ZEVALLOS CHAVEZ, Juan Yury. Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li). 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/. Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Zevallos Chavez, J. Y. (2003). Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/ -
NLM
Zevallos Chavez JY. Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/ -
Vancouver
Zevallos Chavez JY. Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li) [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
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