The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si (2003)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26
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ABNT
SCHMIDT, Tomé M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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