Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Book of Abstracts
- Volume/Número/Paginação/Ano: Fortaleza : DF/UFC, 2003
- Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
-
ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC. -
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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