H-band emission in single heterojunctions (2003)
- Autores:
- Autores USP: SILVA, EUZI CONCEICAO FERNANDES DA - IF ; QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00119-8
- Assuntos: SEMICONDUTORES; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 5-8, p. 755-757, 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
QU, Fanyao et al. H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 755-757, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8. Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Qu, F., Lino, A. T., Dantas, N. O., Morais, P. C., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 755-757. doi:10.1016/s0026-2692(03)00119-8 -
NLM
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8 -
Vancouver
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2024 mar. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8 - Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00119-8 (Fonte: oaDOI API)
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Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S0026269203001198-... |
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