Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0925-9635(02)00394-1
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Diamond and Related Materials
- ISSN: 0925-9635
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 12, n. 3-7, p. 861-863, 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube. Diamond and Related Materials, v. 12, n. 3-7, p. 861-863, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00394-1. Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube. Diamond and Related Materials, 12( 3-7), 861-863. doi:10.1016/s0925-9635(02)00394-1 -
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube [Internet]. Diamond and Related Materials. 2003 ; 12( 3-7): 861-863.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00394-1 -
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube [Internet]. Diamond and Related Materials. 2003 ; 12( 3-7): 861-863.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00394-1 - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
- Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100)
- Eletronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on a hydrogenated Si(100) surface
- A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor
- Adsoption of gold on carbon nanotubes
- Computer simulations of gold nanowires
- Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes
- Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes
- Adsorption and incorporation of Mn on Si(100)
- Effect of impurities in the breaking of gold nanowires
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0925-9635(02)00394-1 (Fonte: oaDOI API)
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