Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface (2002)
- Autores:
- Autores USP: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: MATERIAIS; SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBPMat
- Local: Rio de Janeiro
- Data de publicação: 2002
- Fonte:
- Título do periódico: Programa e Livros de Resumos
- Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais
-
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. In Programa e Livros de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat. -
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 19 ] - Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface
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