Tese

Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (2002)

• Authors:
  • Torres, Ani Sobral
  • Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador)
• Autor USP: TORRES, ANI SOBRAL - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PSI
• Subjects: PLASMA (MICROELETRÔNICA); SILÍCIO
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho foram depositados filmes de óxido de silício por deposição química a vapor assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). Através dessa técnica, pode-se obter filmes de óxido de silício a baixa temperatura (25°C) e com altas taxas de deposição (> 10 nm/min), com satisfatórias características físicas, químicas e elétricas se comparadas as dos filmes obtidos por outras técnicas de deposição (PECVD, LPCVD, etc). Objetiva-se, assim, a utilização destes filmes para aplicações como camada de interconexão e em pós-processamento. Foram utilizados os gases silana e diclorosilana como fonte de silício associados ao óxido nitroso. Os parâmetros de processo variados foram composição gasosa, variando a relação N2O/SiH4 ou N2O/SiH2Cl2 e a potência de RF aplicada na geração do plasma. Nos filmes depositados com o uso da silana, foram obtidas taxas de deposição da ordem de 12 nm/min, maiores que as taxas de deposição dos filmes obtidos com diclorosilana (em torno de 2 nm/min) Foram realizados recozimentos térmicos 430°C, 600°C e 850°C e constatou-se a diminuição da contaminação por hidrogênio (através da técnica de infravermelho) com o recozimento térmico e a formação de cristalitos de silício constatados com o uso da técnica de difração de raios X. Os filmes obtidos com o uso da silana em proporção gasosa igual a 3 e com altas potências de RF (>100 W) apresentaram melhores características elétricas, apropriadas para aplicaçõescomo material de interconexão de circuitos integrados
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 2002
• Data da defesa: 10.12.2002

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How to cite

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• ABNT

  TORRES, Ani Sobral. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 26 abr. 2024.

• APA

  Torres, A. S. (2002). Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

• NLM

  Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;[citado 2024 abr. 26 ]

• Vancouver

  Torres AS. Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). 2002 ;[citado 2024 abr. 26 ]

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