Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
- Autores:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1521571
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571 -
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571 -
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1521571 (Fonte: oaDOI API)
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