Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon (2002)
- Autores:
- Autores USP: JUSTO FILHO, JOAO FRANCISCO - EP ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidades: EP; IF
- DOI: 10.1590/s0103-97332002000200049
- Assunto: ELETRICIDADE
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: 2002
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
- Licença: other-oa
-
ABNT
ZHAO, S et al. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon. Brazilian Journal of Physics, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Zhao, S., Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., & Kimerling, L. C. (2002). Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332002000200049 -
NLM
Zhao S, Justo Filho JF, Assali LVC, Kimerling LC. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049 -
Vancouver
Zhao S, Justo Filho JF, Assali LVC, Kimerling LC. Structure and bonding of iron-acceptor pairs in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200049 - Microscopic structure of the 90 'GRAUS' and 30'GRAUS' partial dislocations in gallium arsenide
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97332002000200049 (Fonte: oaDOI API)
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