Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)
- Autores:
- Autores USP: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: SEMICONDUTORES; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Venezuela, P., Dalpian, G., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Venezuela P, Dalpian G, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 20 ] -
Vancouver
Venezuela P, Dalpian G, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 20 ] - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
- Influence of surface degrees of freedom on the adsorption of Ge ad-atoms on Si(100)
- Eletronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on a hydrogenated Si(100) surface
- A possible route to grow a (Mn:'Si IND. (1-x)'Ge IND. x')-based diluted magnetic semiconductor
- Adsoption of gold on carbon nanotubes
- Computer simulations of gold nanowires
- Ab initio study of an iron atom interacting with single-wall carbon nanotubes
- Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes
- Adsorption and incorporation of Mn on Si(100)
- Effect of impurities in the breaking of gold nanowires
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
