Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes (2001)
- Autores:
- Autores USP: SILVA, ANTONIO JOSE ROQUE DA - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: SEMICONDUTORES; ESTRUTURA ELETRÔNICA; ELETRÔNICA (PROPRIEDADES)
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'
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