Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces (2001)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0022-0248(01)00630-3
- Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Crystal Growth
- ISSN: 0022-0248
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 227, p. 46-50, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MARTINI, S. et al. Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces. Journal of Crystal Growth, v. 227, p. 46-50, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00630-3. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Ugarte, D., Lange, C., Richter, W., & Tokranov, V. E. (2001). Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces. Journal of Crystal Growth, 227, 46-50. doi:10.1016/s0022-0248(01)00630-3 -
NLM
Martini S, Quivy AA, Ugarte D, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 227 46-50.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00630-3 -
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Ugarte D, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 227 46-50.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00630-3 - Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM)
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0022-0248(01)00630-3 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | 1-s2.0-S0022024801006303-... |
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