Efeito da concentração de íons O'H POT.-' no crescimento de filmes espessos de óxidos de ouro (2001)
- Autores:
- Autor USP: TREMILIOSI FILHO, GERMANO - IQSC
- Unidade: IQSC
- Assunto: ELETROQUÍMICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Simpósio Brasileiro de Eletroquímica e Eletroanalítica
-
ABNT
DALL'ANTONIA, Luiz Henrique e TREMILIOSI FILHO, Germano. Efeito da concentração de íons O'H POT.-' no crescimento de filmes espessos de óxidos de ouro. 2001, Anais.. Gramado: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Dall'Antonia, L. H., & Tremiliosi Filho, G. (2001). Efeito da concentração de íons O'H POT.-' no crescimento de filmes espessos de óxidos de ouro. In Anais. Gramado: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. -
NLM
Dall'Antonia LH, Tremiliosi Filho G. Efeito da concentração de íons O'H POT.-' no crescimento de filmes espessos de óxidos de ouro. Anais. 2001 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Dall'Antonia LH, Tremiliosi Filho G. Efeito da concentração de íons O'H POT.-' no crescimento de filmes espessos de óxidos de ouro. Anais. 2001 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Simulacao em espectroscopia de impedancia da reacao de descarga de hidrogenio
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