The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide (2000)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0953-8984/12/49/323
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Physics-Condensed Matter
- ISSN: 0953-8984
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, 12( 49), 10235-10239. doi:10.1088/0953-8984/12/49/323 -
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323 -
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0953-8984/12/49/323 (Fonte: oaDOI API)
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