Estudo da influência dos mecanismos de espalhamento no transporte semiclássico em materiais semicondutores através do método de Monte Carlo (2001)
- Autores:
- Autor USP: MESSIAS, LUIZ GILBERTO DE OLIVEIRA - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Português
- Resumo: Neste trabalho estudamos a influência dos mecanismos de espalhamento no transporte semiclássico de portadores em materiais semicondutores. Para tanto, foi desenvolvida uma rotina computacional baseada no método de Monte Carlo, sendo esta aplicada aos seguintes materiais: 1) Antimoneto de Gálio (GaSb); 2) Telureto de Cádmio e Telureto de Cádmio Manganês (CdTe e 'Cd IND. 1-x''Mn IND. x'Te); 3) Liga de Silício Germânio ('Si IND. 1-x''Ge IND. x'); 4) Super rede de 'Al IND. x''Ga IND. 1-x'As /GaAs. Os estudos realizados foram baseados na influência dos mecanismos de espalhamento nos seguintes parâmetros: i) velocidade de deriva; ii) população dos portadores iii) energia média; iv) função distribuição; v) mobilidade; vi) difusão. No GaSb o estudo foi realizado para o transporte de elétrons e buracos, dando ênfase na atuação do mecanismo de espalhamento por impurezas e o efeito de compensação. No estudo do transporte eletrônico no CdTe, foi realizada uma análise da influência da concentração de Manganês no composto 'Cd IND. 1-x''Mn IND. x'Te. Os efeitos dos mecanismos de ionização por impacto (que atua em altos campos) e espalhamento por liga foram estudados no sistema 'Si IND. 1-x''Ge IND. x'. No estudo realizado na super-rede de 'Al IND. x''Ga IND. 1-x'As /GaAs, o método de Monte Carlo foi adaptado ao sistema bi-dimensional, onde foi estudadas a influência do mecanismo de espalhamento causado pela rugosidade da interface, na coerência das oscilações do elétronna mini-banda (Oscilações de Bloch).O método computacional desenvolvido mostrou-se bem versátil nos estudos propostos. Os modelos adotados em cada estudo, descrevem bem os resultados experimentais disponíveis na literatura
- Imprenta:
- Local: São Carlos
- Data de publicação: 2001
- Data da defesa: 19.04.2001
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ABNT
MESSIAS, Luiz Gilberto de Oliveira. Estudo da influência dos mecanismos de espalhamento no transporte semiclássico em materiais semicondutores através do método de Monte Carlo. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2001. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-01042014-151711/. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Messias, L. G. de O. (2001). Estudo da influência dos mecanismos de espalhamento no transporte semiclássico em materiais semicondutores através do método de Monte Carlo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-01042014-151711/ -
NLM
Messias LG de O. Estudo da influência dos mecanismos de espalhamento no transporte semiclássico em materiais semicondutores através do método de Monte Carlo [Internet]. 2001 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-01042014-151711/ -
Vancouver
Messias LG de O. Estudo da influência dos mecanismos de espalhamento no transporte semiclássico em materiais semicondutores através do método de Monte Carlo [Internet]. 2001 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-01042014-151711/
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