Above bandgap induced photoexpansion and photobleaching in Ga-Ge-S based glasses (2001)
- Authors:
- Autor USP: LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/S0022-3093(01)00415-X
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Non-Crystalline Solids
- ISSN: 0022-3093
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 284, n. 1-3, p. 282-287, 2001
- Conference titles: International Symposium on Non-oxide Glasses and Advanced Materials
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MESSADDEQ, Sandra Helena et al. Above bandgap induced photoexpansion and photobleaching in Ga-Ge-S based glasses. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00415-X. Acesso em: 26 abr. 2024. , 2001 -
APA
Messaddeq, S. H., Siu Li, M., Lezal, D., Ribeiro, S. J. L., & Messaddeq, Y. (2001). Above bandgap induced photoexpansion and photobleaching in Ga-Ge-S based glasses. Journal of Non-Crystalline Solids. Amsterdam: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/S0022-3093(01)00415-X -
NLM
Messaddeq SH, Siu Li M, Lezal D, Ribeiro SJL, Messaddeq Y. Above bandgap induced photoexpansion and photobleaching in Ga-Ge-S based glasses [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 284( 1-3): 282-287.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00415-X -
Vancouver
Messaddeq SH, Siu Li M, Lezal D, Ribeiro SJL, Messaddeq Y. Above bandgap induced photoexpansion and photobleaching in Ga-Ge-S based glasses [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 284( 1-3): 282-287.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00415-X - Protótipo de Dewar com cinco janelas óticas para intervalo de temperatura de 55 K - 400 K
- Construção de laser de centro de cor sintonizável
- Relaxacao dieletrica em cristais mistos de kc'N IND.X': k'BR IND.1-X' 0.5 '<OU ='x''<ou '1.0
- Emissao vibracional do c'N POT.-' Induzido por absorcao do centro f em cristais de kcl impurificado com oc'N POT.-'
- Laser de centro de cor sintonizavel no intervalo de 2.56 'MI' a 2.82 'MI'
- Estudos de aglomeracao de o'H POT.-' Em k'CL' usando duas tecnicas: itc ( corrente termoestimulada) e eivd ( espectroscopia de transformada de fourier no infravermelho distante)
- Espectroscopia intracavidade com um laser de centro de cor na regiao de 2,7 'MU'm
- Construção de um laser de anel de centro de cor
- Emissão vibracional de 'CN POT.-' em cristais iônicos sob aplicação de campo externo
- Cristais de niobatos e germanatos dopados e sensibilizados para laser de estado solido
Informações sobre o DOI: 10.1016/S0022-3093(01)00415-X (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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 | PROD007276_1185881.pdf |
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