SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H (2000)
- Autores:
- Autores USP: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF ; ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP
- Unidades: IF; EP
- Assunto: ÓPTICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos de Trabalhos
- Nome do evento: Reunião Anual de Usuários do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron-LNLS
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ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. 2000, Anais.. Campinas: LNLS, 2000. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2000). SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. In Resumos de Trabalhos. Campinas: LNLS. -
NLM
Prado RJ, Fantini MC de A, Pereyra I. SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Prado RJ, Fantini MC de A, Pereyra I. SAXS de filmes finos homogêneos de a-SiC:H. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ] - On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films
- Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films
- Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis
- Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application
- Control of the refractive index in PECVD SiOxNy films
- Structural and morphological investigation of amorphous hydrogenated silicon carbide
- Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H
- EXAFS analysis on SiOxNy films
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