Passivation of III-V semiconductor surfaces for STM studies in air: an application to spectroscopy of InAs quantum dots (2000)
- Autores:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
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ABNT
LAMAS, T. E. e QUIVY, A. A. Passivation of III-V semiconductor surfaces for STM studies in air: an application to spectroscopy of InAs quantum dots. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2000). Passivation of III-V semiconductor surfaces for STM studies in air: an application to spectroscopy of InAs quantum dots. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Lamas TE, Quivy AA. Passivation of III-V semiconductor surfaces for STM studies in air: an application to spectroscopy of InAs quantum dots. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
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