Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature (2000)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, ANA NEILDE RODRIGUES DA - EP ; MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0026-2714(99)00296-6
- Assunto: CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Microelectronics and Realiability
- ISSN: 0026-2714
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 40, p. 621-624, 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e MORIMOTO, Nilton Itiro e BONNAUD, Olivier. Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature. Microelectronics and Realiability, v. 40, p. 621-624, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00296-6. Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Silva, A. N. R. da, Morimoto, N. I., & Bonnaud, O. (2000). Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature. Microelectronics and Realiability, 40, 621-624. doi:10.1016/s0026-2714(99)00296-6 -
NLM
Silva ANR da, Morimoto NI, Bonnaud O. Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature [Internet]. Microelectronics and Realiability. 2000 ; 40 621-624.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00296-6 -
Vancouver
Silva ANR da, Morimoto NI, Bonnaud O. Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature [Internet]. Microelectronics and Realiability. 2000 ; 40 621-624.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00296-6 - The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS
- Fabrication process of free-standing polysilicon microfilaments using PECVD silicon oxide as a sacrifical layer
- Analysis of TEOS+O2 plasma - the influence of energy and gas flow on the deposition process
- Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces
- Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom)
- Mach-zehnder interferometer simulation results for integrated optical pressure sensor
- Estudo da formacao do siliceto de titanio obtido pela reacao de filmes finos de titanio com silicio policristalino e com silicio amorfo
- PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments. (em CD-Rom)
- Dip Pen nanolithography using a polyacrylonitrile based ink
- Study of nickel silicide as mask for alkaline solutions to V-grooves fabrication
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0026-2714(99)00296-6 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
