Propriedades físicas de impurezas profundas em silício (1999)
- Autor:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho apresentamos importantes estudos teóricos sobre as propriedades físicas de impurezas profundas em silício. Utilizando o modelo de aglomerado molecular dentro do formalismo do método do espalhamento múltiplo obtivemos as estruturas eletrônicas dos pares de impurezas de ouro-metal de transição 3d. Efetuamos um estudo das tendências químicas ao longo da série 3d da tabela periódica e obtivemos os campos hiperfinos de contacto de Fermi nos núcleos das impurezas. Este estudo sistemático nos permitiu propor um modelo microscópico covalente para explicar a interação das impurezas nos pares estabilizados. Utilizando ainda o modelo de aglomerado molecular dentro do formalismo do método do espalhamento múltiplo obtivemos as estruturas eletrônicas de impurezas relacionadas com Er. Da análise de nossos resultados propormos duas configurações estruturais microscópicas diferentes para explicar as linhas pouco intensas de fotoluminescência encontradas experimentalmente em amostras de Si dopadas com Er e as linhas bastante intensas de fotoluminescência encontradas em amostras de Si contendo Er e O, sugerindo mecanismos de ionização diferentes para explicar as diferentes intensidades observadas. Simulações estáticas foram efetuadas utilizando o modelo de aglomerado, dentro de uma aproximação totalmente clássica, para estudar a estrutura e formação dos pares ferro-aceitador raso em Si. Nosso modelo explica qualitativamente as tendências de aprofundamento dos níveis de energia doadores dos pares com o aumento do número atômico do aceitados, suas simetrias configuracionais e a biestabilidade estrutural. Finalmente, estudamos o mecanismo de difusão da impureza de oxigênio auxiliada pelo hidrogênio em Si tipo-p. Utilizamos cálculos de energia total e simulações de dinâmica molecular com o modelo da super-célula dentro do formalismo de pseudopotencial. (CONTINUA)(CONTINUAÇÃO) Um novo mecanismo é proposto e o papel do hidrogênio na difusão ) do oxigênio é explicada em um processo que compreende duas etapas: ele não somente serve para abrir uma ligação Si-Si a ser ocupada pelo átomo de O como, também, ajuda a reduzir a energia de um importante estado intermediário no caminho de difusão.
- Imprenta:
- Data da defesa: 10.09.1999
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ABNT
ASSALI, L. V. C. Propriedades físicas de impurezas profundas em silício. 1999. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Assali, L. V. C. (1999). Propriedades físicas de impurezas profundas em silício (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/ -
NLM
Assali LVC. Propriedades físicas de impurezas profundas em silício [Internet]. 1999 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/ -
Vancouver
Assali LVC. Propriedades físicas de impurezas profundas em silício [Internet]. 1999 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/ - Electronic structure of erbium centers in silicon
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