Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica (1996)
- Autores:
- Autores USP: FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP ; DIRANI, ELY ANTONIO TADEU - EP ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Física
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 1996
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti et al. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1996. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., Sassaki, C. A., Andrade, A. M. de, & Takahashi, A. (1996). Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Fonseca FJ, Dirani EAT, Sassaki CA, Andrade AM de, Takahashi A. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Fonseca FJ, Dirani EAT, Sassaki CA, Andrade AM de, Takahashi A. Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature
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