Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
- Autores:
- Pusep, Yuri A. - Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
- Silva, M. T. O. - Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
- Galzerani, J. C. - Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
- Rodrigues, S. C. P.
- Scolfaro, L. M. R.
- Lima, A. P.
- Quivy, A. A.
- Leite, J. R.
- Moshegov, N. T. - Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
- Basmaji, Pierre
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.372097
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Local: College Park
- Data de publicação: 2000
- Fonte:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 87, n. 4, p. 1825-1831, Feb. 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097 -
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097 -
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097 - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.372097 (Fonte: oaDOI API)
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