Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0268-1242/14/4/005
- Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005 -
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005 -
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005 - Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0268-1242/14/4/005 (Fonte: oaDOI API)
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