Lattice dynamics of boron nitride (1999)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-5107(98)00327-4
- Assunto: ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Materials Science and Engineering B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 59, n. 1-3, p. 264-267, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ALVES, H. W. L. et al. Lattice dynamics of boron nitride. Materials Science and Engineering B, v. 59, n. 1-3, p. 264-267, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00327-4. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Castineira, J. L. P., & Leite, J. R. (1999). Lattice dynamics of boron nitride. Materials Science and Engineering B, 59( 1-3), 264-267. doi:10.1016/s0921-5107(98)00327-4 -
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Castineira JLP, Leite JR. Lattice dynamics of boron nitride [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1999 ; 59( 1-3): 264-267.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00327-4 -
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Castineira JLP, Leite JR. Lattice dynamics of boron nitride [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1999 ; 59( 1-3): 264-267.[citado 2024 abr. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00327-4 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Semiconductor physics: procedings of the 3 rd brazilian school of semiconductor physics
- Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium
- Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-5107(98)00327-4 (Fonte: oaDOI API)
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
