Analysis of the back gate voltage on the LDD SOI NMOSFET series resistence (1999)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS ELÉTRICOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: SBMicro/IMAPS
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 1999
- Fonte:
- Título do periódico: ICMP 99 : Technical Digest
- Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Analysis of the back gate voltage on the LDD SOI NMOSFET series resistence. 1999, Anais.. São Paulo: SBMicro/IMAPS, 1999. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1999). Analysis of the back gate voltage on the LDD SOI NMOSFET series resistence. In ICMP 99 : Technical Digest. São Paulo: SBMicro/IMAPS. -
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Analysis of the back gate voltage on the LDD SOI NMOSFET series resistence. ICMP 99 : Technical Digest. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Analysis of the back gate voltage on the LDD SOI NMOSFET series resistence. ICMP 99 : Technical Digest. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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