Analysis of the substrate effect on enhancement mode SOInMOSFET effective channel length and series resistence extraction at 77K (1998)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1051/jp4:1998312
- Assunto: ENERGIA ELÉTRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Les Ulis Cedex
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Journal de Physique IV
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.8, p.49-52, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. Analysis of the substrate effect on enhancement mode SOInMOSFET effective channel length and series resistence extraction at 77K. Journal de Physique IV, v. 8, p. 49-52, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1051/jp4:1998312. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Pavanello, M. A., Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (1998). Analysis of the substrate effect on enhancement mode SOInMOSFET effective channel length and series resistence extraction at 77K. Journal de Physique IV, 8, 49-52. doi:10.1051/jp4:1998312 -
NLM
Pavanello MA, Nicolett AS, Martino JA. Analysis of the substrate effect on enhancement mode SOInMOSFET effective channel length and series resistence extraction at 77K [Internet]. Journal de Physique IV. 1998 ;8 49-52.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1051/jp4:1998312 -
Vancouver
Pavanello MA, Nicolett AS, Martino JA. Analysis of the substrate effect on enhancement mode SOInMOSFET effective channel length and series resistence extraction at 77K [Internet]. Journal de Physique IV. 1998 ;8 49-52.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1051/jp4:1998312 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1051/jp4:1998312 (Fonte: oaDOI API)
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