Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces (1998)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Física
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 1998
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1998). Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d
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