Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon (1998)
- Autores:
- Autores USP: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE GALVAO - IME
- Unidades: IF; IME
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Elsevier Science
- Local: Amsterdam
- Data de publicação: 1998
- Fonte:
- Título do periódico: Microelectronic Engineering
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 43-44, p. 489-496, 1998
- Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices
-
ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 23 abr. 2024. , 1998 -
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. -
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 abr. 23 ] - Comparacao de experimentos: dois metodos equivalentes de compara-los
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