Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface (1998)
- Autores:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0953-8984/10/26/003
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Journal of Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 10, p. 5739-5748, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface. Journal of Physics, v. 10, p. 5739-5748, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/26/003. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1998). Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface. Journal of Physics, 10, 5739-5748. doi:10.1088/0953-8984/10/26/003 -
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface [Internet]. Journal of Physics. 1998 ; 10 5739-5748.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/26/003 -
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of the stability and electronic properties of a '(GaAs/Te/InAs)' interface [Internet]. Journal of Physics. 1998 ; 10 5739-5748.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/26/003 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0953-8984/10/26/003 (Fonte: oaDOI API)
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