Defect complexes in GaAs: first-principles calculations (1997)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997
-
ABNT
JANOTTI, Anderson et al. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997Tradução . . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, 56( 20), 13073-13076. -
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 abr. 18 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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